今日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機、平板等。

相較上一代eUFS 3.0（512GB）閃存產(chǎn)品，新款的寫速提升了200%，達到了驚人的1200MB/s，比用于PC的傳統(tǒng)SATA3 SSD（540MB/s）和UHS-I microSD存儲卡（90MB/s），可謂巨大的升級，可消除8K、5G時代下的存儲瓶頸。

其它性能參數(shù)還包括，連續(xù)讀取速度可達2100MB/s，隨機讀取速度就100K IOPS，隨機寫入速度70K IOPS。

當(dāng)然，這批新的eUFS 3.1閃存還有128GB和256GB容量。

另外，三星還透露，其位于中國西安市的X2線則已于本月開始生產(chǎn)第五代V-NAND（9x層），韓國平澤市的P1線將很快轉(zhuǎn)向第六代V-NAND閃存（1xx層）芯片的量產(chǎn)，以滿足日益增長的市場需求。

此前，西部數(shù)據(jù)、鎧俠（原東芝存儲）也介紹了UFS 3.1閃存產(chǎn)品，但都是出樣，沒有達到量產(chǎn)程度。